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NPE-3000 PECVD等离子体化学气相沉积系统
CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长:在需要的位置生长CNT或石墨烯。 NPE-3000 PECVD等离子体化学气相沉积系统,具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压
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NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统
CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长:在需要的位置生长CNT或石墨烯。 NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统,具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压
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NPE-4000 (ICPM) 等离子增强化学气相沉积系统
立式ICPECVD系统不锈钢或铝制腔体极限真空可达10-7TorrICP离子源高达12”(300mm)直径的样品台 该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子,具有分形气流分布的
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NPE-4000 (M) 等离子体化学气相沉积系统
CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长:在需要的位置生长CNT或石墨烯。 NPE-4000(M) PECVD等离子体化学气相沉积系统,具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压
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NPE-4000 (ICPA) 全自动等离子体化学气相沉积系统
CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长:在需要的位置生长CNT或石墨烯。 NPE-4000(ICPA)全自动ICPECVD等离子体化学气相沉积系统,具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC
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NPE-4000 (A) 全自动PECVD等离子体化学气相沉积系统
CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长:在需要的位置生长CNT或石墨烯。 NPE-4000(A)全自动PECVD等离子体化学气相沉积系统,具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压
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NLD-3000 ALD原子层沉积系统
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NMC-3000 MOCVD金属有机化学气相沉积系统
独立式系统ICP或者微波等离子源14”立方的电抛光不锈钢腔体8”或者12”的基片夹具700°C旋转基片夹具用于6”样品台,950°C用于4”样品台增加鼓泡器和MFC自动上下片集群配置可兼容
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SUPERALD Exploiter原子层沉积大尺寸沉积系统
设备规格工艺温度:温度范围:RT~500°C 精度:土1°C(可定制)前驱体路数:支持6路前驱体气路(可定制),包含固、液态前驱体源瓶加热系统:可加热温度范围:RT~150℃反应物路数:支持2
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原子层沉积系统(ALD)
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